ADRIAN NESTOR FAIGON

Datos académicos

Lugar de trabajo	CONSEJO NACIONAL DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS Y TECNICAS / OFICINA DE COORDINACION ADMINISTRATIVA HOUSSAY / INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG" \| UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES / FACULTAD DE INGENIERIA / INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Título	PhD in Science - Applied Physics
Grado	Universitario de posgrado/doctorado
Campo de aplicación	Prod.Metal.,Maq.y Equ.-Componentes Electron
Especialidad	Micro-Nanoelectrónica

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo Radiation Sensor Based on MOSFETs Mismatch Amplification for Radiotherapy Applications

García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016-06)
Artículo Reducing measurement uncertainties using bias cycled measurement in MOS dosimetry at different temperatures

Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010-04)
Artículo Switched Bias Differential MOSFET Dosimeter

García Inza, Mariano Andrés ; Carbonetto, Sebastián Horacio ; Lipovetzky, José ; Carra, Martin Javier; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Redin, Eduardo Gabriel; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014-06)
Artículo Temperature-compensated MOS dosimeter fully integrated in a high-voltage 0.35 µm CMOS process

Carbonetto, Sebastián Horacio ; Echarri, Martin; Lipovetzky, José ; García Inza, Mariano Andrés ; Faigon, Adrián Néstor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020-06)
Artículo Zero temperature coefficient bias in MOS devices. Dependence on interface traps density, application to MOS dosimetry

Carbonetto, Sebastián Horacio ; García Inza, Mariano Andrés ; Lipovetzky, José ; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Faigon, Adrian Nestor (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011-09)

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