KALSTEIN ARIEL

Datos académicos

Lugar de trabajo	COMISION NACIONAL DE ENERGIA ATOMICA / GERENCIA D/AREA INVEST Y APLICACIONES NO NUCLEARES / GERENCIA FISICA (CAC)
Título	Licenciado en Ciencias Físicas
Grado	Universitario de grado
Campo de aplicación	Industrial
Especialidad	Fiabilidad de dispositivos.

PRODUCCION CIENTÍFICO TECNOLÓGICA

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Artículo Evolution of the gate current in 32 nm MOSFETs under irradiation

Palumbo, Félix Roberto Mario ; Debray, Mario Ernesto; Vega, Nahuel Agustín ; Quinteros, Cynthia Paula ; Kalstein, Ariel ; Guarin, F. (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2016-02)
Artículo Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness

Rubi, Diego ; Kalstein, Ariel ; Roman Acevedo, Wilson Stibens ; Ghenzi, Néstor ; Quinteros, Cynthia Paula ; Mangano, E.; Granell, Pablo Nicolás; Golmar, Federico ; Marlasca, F. G.; Suarez, Sergio Gabriel ; Bernardi, Guillermo Carlos ; Albornoz, C.; Leyva de Guglielmino, Ana Gabriela; Levy, Pablo Eduardo (Elsevier Science Sa, 2015-03)
Artículo Resistive switching in ferromagnetic La2/3Ca1/3MnO3 thin films

Alposta, Ignacio; Kalstein, Ariel ; Ghenzi, Néstor ; Bengió, Silvina ; Zampieri, Guillermo Enrique ; Rubi, Diego ; Levy, Pablo Eduardo (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013-07-23)
Artículo Two resistive switching regimes in thin film manganite memory devices on silicon

Rubi, Diego ; Tesler, Federico Ariel ; Alposta, I.; Kalstein, Ariel ; Ghenzi, Néstor ; Gomez Marlasca, F.; Rozenberg, Marcelo Javier ; Levy, Pablo Eduardo (American Institute of Physics, 2013-10)

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